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整流電路
由VD1-VD6六個整流二極管組成不可控全波整流橋。對于380V的額定電源，一般二極管反向耐壓值應選1200V，二極管的正向電流為電機額定電流的1.414-2倍。
電容C1
吸收電容,整流電路輸出是脈動的直流電壓，必須加以濾波，
變壓器
一種常見的電氣設備，可用來把某種數值的交變電壓變換為同頻率的另一數值的交變電壓，也可以改變交流電的數值及變換阻抗或改變相位。
壓敏電阻
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有三個作用：一、過電壓保護；二、耐雷擊要求；三、安規測試需要.
熱敏電阻：過熱保護
霍爾元件
安裝在UVW的其中二相,用于檢測輸出電流值。選用時額定電流約為電機額定電流的2倍左右。
充電電阻
作用是防止開機上電瞬間電容對地短路，燒壞儲能電容開機前電容二端的電壓為 0V；所以在上電（開機）的瞬間電容對地為短路狀態。如果不加充電電阻在整流橋與電解電容之間，則相當于380V電源直接對地短路，瞬間整流橋通過無窮大的電流導致整流橋炸掉。一般而言變頻器的功率越大，充電電阻越小。充電電阻的選擇范圍一般為：10-300Ω。
儲能電容
又叫電解電容，在充電電路中主要作用為儲能和濾波。PN端的電壓工作范圍一般在 430VDC～700VDC 之間，而一般的高壓電容都在 400VDC左右，為了滿足耐壓需要就必須是二個400VDC的電容串起來作800VDC。容量選擇≥60uf/A
均壓電阻：防止由于儲能電容電壓的不均燒壞儲能電容；因為二個電解電容不可能做成完全一致，這樣每個電容上所承受的電壓就可能不同，承受電壓高的發熱嚴重（電容里面有等效串聯電阻）或超過耐壓值而損壞。
C2電容
吸收電容,主要作用為吸收IGBT的過流與過壓能量。
電源板

開關電源電路向操作面板、主控板、驅動電路、檢測電路及風扇等提供低壓電源，開關電源提供的低壓電源有：±5V、±15V 、±24V向CPU其附屬電路、控制電路、顯示面板等提供電源。
驅動板
主要是將CPU生成的PWM脈沖經驅動電路產生符合要求的驅動信號激勵IGBT輸出電壓。
控制板
也叫CPU板，相當人的大腦，處理各種信號以及控制程控制方式
1: VVVF 是 Variable Voltage and Variable Frequency 的縮寫，意為改變電壓和改變頻率，也就是人們所說的變壓變頻。
2: CVCF 是 Constant Voltage and Constant Frequency 的縮寫，意為恒電壓、恒頻率，也就是人們所說的恒壓恒頻。
VVC的控制原理
在VVC中，控制電路用一個數學模型來計算電機負載變化時*佳的電機勵磁，并對負載加以補償。
此外集成于ASIC電路上的同步60°PWM方法決定了逆變器半導體器件（IGBTS）的*佳開關時間。
決定開關時間要遵循以下原則：
數值上*大的一相在1/6個周期（60°）內保持它的正電位或負電位不變。
其它兩相按比例變化，使輸出線電壓保持正弦并達到所需的幅值（如下圖）
與正弦控制PWM不同，VVC是依據所需輸出電壓的數字量來工作的。這能*保*變頻器的輸出達到電壓的額定值，電機電流為正弦波，電機的運行與電機直接接市電時一樣。
由于在變頻器計算*佳的輸出電壓時考慮了電機的常數（定子電阻和電感），所以可得到*佳的電機勵磁。
因為變頻器連續的檢測負載電流，變頻器就能調節輸出電壓與負載相匹配，所以電機電壓可適應電機的類型，跟隨負載的變化。
VVC+的控制原理是將矢量調制的原理應用于固定電壓源PWM逆變器。這一控制建立在一個改善了的電機模型上，該電機模型較好的對負載和轉差進行了補償。
因為有功和無功電流成分對于控制系統來說都是很重要的，控制電壓矢量的角度可顯著的改善0-12HZ范圍內的動態性能，而在標準的PWM U/F驅動中0-10HZ范圍一般都存在著問題。
利用SFAVM或60°AVM原理來計算逆變器的開關模式，可使氣隙轉矩的脈動很小（與使用同步PWM的變頻器相比）。
用戶可以選擇自己*喜愛的工作原理，或者由逆變器依據散熱器的溫度來自動選擇控制原理。如果溫度低于75°C采用SFAVM原理來控制，當溫度高于75℃時就應用60°AVM原理。
以下給出這兩個原理的概要
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逆變器*大的開關頻率
特點
SFAVM
*大8kHz
1. 與同步60°PWM(VVC)相比，轉矩紋波小
2. 無“換擋”
3. 逆變器的開關損耗大
60°AVM
*大14kHz
1. 逆變器的開關損耗減少（與SFAVM相比減少1/3）
2. 與同步60°PWM(VVC)相比轉矩紋波小
3. 與SFAVM相比轉矩紋波相對大些
如上圖所示，電機模型為負載補償器和電壓矢量發生器分別計算額定的空載值ISX0，Isy0和I0，θ0。知道實際的空載值就有可能更準確地估計電機軸的負載轉矩。
與V/f控制相比，電壓矢量控制在低速時很有利，傳動的動特性可得到明顯的改善。此外因為控制系統能更好地估計負載轉矩，給出電壓和電流的矢量值，與標量（僅有大小的值）控制的情況相比，電壓矢量控制還能得到很好的靜態特征。
各組成部分原理
自六十年代后期以來，由于微處理器和半導體技術的發展及其價格的降低，使變頻器發生了很大的變化。但是，變頻器的基本原理并沒有變。
變頻器可以分為四個主要部分：
1、整流器。它與單相或三相交流電源相連接，產生脈動的直流電壓。整流器有兩種基本類型---可控和不可控的。
2、中間電路。它有以下三種類型：
a) 將整流電壓變換成直流電流。
b) 使脈動的直流電壓變得穩定或平滑，供逆變器使用。
c) 將整流后固定的直流電壓變換成可變的直流電壓。
3、逆變器。它產生電動機電壓的頻率。另外，一些逆變器還可以將固定的直流電壓變換成可變的交流電壓。
4、控制電路。它將信號傳送給整流器、中間電路和逆變器，同時它也接收來自這部分的信號。具體被控制的部分取決于各個變頻器的設計。如下圖：
上圖示出變頻器不同的設計及控制原理。圖中：
1- 可控整流器，
2- 不可控整流器，
3- 可變直流電流的中間電路，
4- 固定直流電壓的中間電路，
5- 可變直流電壓的中間電路，
6- 脈沖幅度調試逆變器，
7- 脈沖寬度調制逆變器。
電流逆變器：CSI（1+3+6）
脈沖幅度調制逆變器：PAM（1+4+7），（2+5+7）
脈沖寬度調制逆變器：PAM/VVC(2+4+7)
為了全面，還應該簡要的提一下沒有中間電路的直接變頻器。這種變頻器用于功率等級不兆瓦級的地方，它們直接將50Hz電源變換為一個低頻電源，其*大輸出頻率為30Hz。
整流器
變頻器中的整流器可由二極管或晶閘管單獨構成，也可由兩者共同構成。由二極管構成的是不可控整流器，有晶閘管構成的是可控整流器。二極管和晶閘管都用的整流器是半控整流器。
中間電路
中間電路可看做是一個能量的存儲裝置，電動機可以通過逆變器從中間電路獲得能量。和逆變器不同，中間電路可根據三種不同的原理構成。
在使用電源逆變器時，中間電路由一個大的電感線圈構成，它只能與可控整流器配合使用。電感線圈將整流器輸出的可變電流電壓轉換成可變的直流電流。電機電壓的大小取決于負載的大小。
中間電路的濾波器使斬波器輸出的方波電壓變得平滑。濾波器的電容和電感使輸出電壓在給定頻率下維持一定。
中間電路還能提供如下一些附加功能，這取決于中間電路的設計。例如：
l使整流器和逆變器解耦
l減少諧波
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l 儲存能量以承受斷續的負載波動
逆變器
逆變器是變頻器*后一個環節，其后與電動機相聯。它*終產生適當的輸出電壓。
變頻器通過使輸出電壓適應負載的辦法，*保*在整個控制范圍內提供良好的運行條件。這方法是將電機的勵磁維持在*佳值。
逆變器可以從中間電路得到以下三者之一。
l 可變直流電流西門子6ES7231-5QA30-0xB0河南代理商
l 可變直流電壓
l 固定直流電壓
在以上每種情況下，逆變器都要確保給電機提供可變的量。換句話說，電動機電壓的頻率總是由逆變器產生的。如果中間電路提供的電流或電壓是可變的，逆變器只需調節頻率即可。如果中間電路只提供固定的電壓，則逆變器既要調節電動機的頻率，還要調節電動機的電壓。
晶閘管在很大程度上被頻率更好的晶體管所取代，因為晶體管可以跟快速地導通和關斷。開關頻率取決于所用的半導體器件，典型的開關頻率在300Hz到20KHz之間。
逆變器中的半導體器件，由控制電路產生的信號使其導通和關斷。這些信號可以受到不同的控制靜態測試
1、測試整流電路
找下結果，可以判定電路已出現異常，A.到變頻器內部直流電源的P端和N端，將萬用表調到電阻X10檔，紅表棒接到P，黑表棒分別依到R、S、T，正常時有幾十歐的阻值，且基本平衡。相反將黑表棒接到P端，紅表棒依
變頻器維修圖片
變頻器維修圖片(5張)
次接到R、S、T，有一個接近于無窮大的阻值。將紅表棒接到N端，重復以上步驟，都應得到相同結果。如果有以阻值三相不平衡，說明整流橋有故障.B.紅表棒接P端時，電阻無窮大，可以斷定整流橋故障或啟動電阻出現故障。
2、測試逆變電路
將紅表棒接到P端，黑表棒分別接U、V、W上，應該有幾十歐的阻值，且各相阻值基本相同，反相應該為無窮大。將黑表棒N端，重復以上步驟應得到相同結果，否則可確定逆變模塊有故障。
動態測試
在靜態測試結果正常以后，才可進行動態測試，即上電試機。在上電前后必須注意以下幾點：
1、上電之前，須確認輸入電壓是否有誤，將380V電源接入220V級變頻器之中會出現炸機（炸電容、壓敏電阻、模塊等）；
2、檢查變頻器各接插口是否已正確連接，連接是否有松動，連接異常有時可能會導致變頻器出現故障，嚴重時會出炸機等情況；
3、上電后檢測故障顯示內容，并初步斷定故障及原因；
4、如未顯示故障，首先檢查參數是否有異常，并將參數復歸后，在空載（不接電機）情況下啟動變頻器，并測試U、V、W三相輸出電壓值。如出現缺相、三相不平衡等情況，則模塊或驅動板等有故障；
5、在輸出電壓正常（無缺相、三相平衡）的情況下，負載測試，盡量是滿負載測試。[1]
故障判斷
1、整流模塊損壞
通常是由于電網電壓或內部短路引起。在排除內部短路情況下，更換整流橋。在現場處理故障時，應重點檢查用戶電網情況，如電網電壓，有無電焊機等對電網有污染的設備等。
2、逆變模塊損壞
通常是由于電機或電纜損壞及驅動電路故障引起。在修復驅動電路之后，測驅動波形良好狀態下，更換模塊。在現場服務中更換驅動板之后，須注意檢查馬達及連接電纜。在確定無任何故障下，才能運行變頻器。
3、上電無顯示
通常是由于開關電源損壞或軟充電電路損壞使直流電路無直流電引起，如啟動電阻損壞，操作面板損壞同樣會產生這種狀況。
4、顯示過電壓或欠電壓
通常由于輸入缺相，電路老化及電路板受潮引起。解決方法是找出其電壓檢測電路及檢測點，更換損壞的器件。
5、顯示過電流或接地短路
通常是由于電流檢測電路損壞。如霍爾元件、運放電路等。
6、電源與驅動板啟動顯示過電流
通常是由于驅動電路或逆變模塊損壞引起。
7、空載輸出電壓正常，帶載后顯示過載或過電流
通常是由于參數設置不當或驅動電路老化，模塊損壞引起。
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過電流保護
在變頻器維修中,過電流保護的對象主要指帶有突變性質的、電流的峰值超過了變頻器的容許值的情形.
由于逆變器的過載能力較差,所以變頻器的過電流保護是至關重要的一環,迄今為止,已發展得十分完善.
一、過電流的原因
1、工作中過電流即拖動系統在工作過程中出現過電流.其原因大致來自以下幾方面:
① 電動機遇到沖擊負載,或傳動機構出現“卡住”現象,引起電動機電流的突然增加.
② 變頻器的輸出側短路,如輸出端到電動機之間的連接線發生相互短路,或電動機內部發生短路等.
③ 變頻器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個逆變器件在不斷交替的工作過程中出現異常。例如由于環境溫度過高，或逆變器件本身老化等原因，使逆變器件的參數發生變化，導致在交替過程中，一個器件已經導通、而另一個器件卻還未來得及關斷，引起同一個橋臂的上、下兩個器件的“直通”，使直流電壓的正、負極間處于短路狀態。
2、升速時過電流 當負載的慣性較大，而升速時間又設定得太短時，意味著在升速過程中，變頻器的工作效率上升太快，電動機的同步轉速迅速上升，而電動機轉子的轉速因負載慣性較大而跟不上去，結果是升速電流太大。
3、降速中的過電流 當負載的慣性較大，而降速時間設定得太短時，也會引起過電流。因為，降速時間太短，同步轉速迅速下降，而電動機轉子因負載的慣性大，仍維持較高的轉速，這時同樣可以是轉子繞組切割磁力線的速度太大而產生過電流。
二、處理方法
1、 起動時一升速就跳閘，這是過電流十分嚴重的現象，主要檢查
① 工作機械有沒有卡住
② 負載側有沒有短路，用兆歐表檢查對地有沒有短路西門子6ES7231-5QA30-0xB0河南代理商
③ 變頻器功率模塊有沒有損壞
④ 電動機的起動轉矩過小，拖動系統轉不起來
2、 起動時不馬上跳閘，而在運行過程中跳閘，主要檢查
① 升速時間設定太短，加長加速時間
② 減速時間設定太短，加長減速時間
③ 轉矩補償(U/F比)設定太大，引起低頻時空載電流過大
④ 電子熱繼電器整定不當，動作電流設定得太小，引起變頻器誤動作
電壓保護
1、 過電壓保護
產生過電壓的原因及處理方法：
① 電源電壓太高
② 降速時間太短
③ 降速過程中，再生制動的放電單元工作不理想，來不及放電，請增加外接制動電阻和制動單元
④ 請檢查放電回路有沒有發生故障，實際并不放電；對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、 欠電壓保護
產生欠電壓的原因及處理方法：
① 電源電壓太低
② 電源缺相；
③ 整流橋故障：如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路，整流后的電壓將下降，對于整流器件和晶閘管的損壞，應注意檢查，及時更換。
逆變器件的介紹：
1.SCR和GTO晶閘管
⑴普通晶閘管SCR 曾稱可控硅，它有三個極：陽極，陰極和門極。
SCR的工作特點是，當在門極與陰極間加一個不大的正向電壓（G為+，K為—）時，SCR即導通，負載Rl中就有電流流過。導通后，即使取消門極電壓，SCR仍保持導通狀態。只有當陽極電路的電壓為0或負值時，SCR才關斷。所以，只需要用一個脈沖信號，就可以控制其導通了，故它常用于可控整流。
作為一種無觸點的半導體開關器件，其允許反復導通和關斷的次數幾乎是無限的，并且導通的控制也十分方便。這是一般的“通-斷開關”所望塵莫及的，從而使實現異步電動機的變頻調速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的，而SCR在直流電壓下又不能自行關斷，因此，要實現逆變，還必須增加輔助器件和相應的電路來幫助它關斷。所以，盡管當時的變頻調速裝置在個別領域（如風機和泵類負載）已經能夠實用，但未能進入大范圍的普及應用階段。
⑵門極關斷（GTO）晶閘管 SCR在一段時間內，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯*半導體器件。因此，針對SCR的缺點，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關斷能力這一點上，并因此而開發出了門極關斷晶閘管。
GTO晶閘管的基本結構和SCR類似，它的三個極也是：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。其圖行符號也和SCR相似，只是在門極上加一短線，以示區別。
GTO晶閘管的基本電路和工作特點是：
①在門極G上加正電壓或正脈沖（開關S和至位置1）GTO晶閘管即導通。其后，即使撤消控制信號（開關回到位置0），GTO晶閘管仍保持導通。可見，GTO晶閘管的導通過程和SCR的導通過程完全相同。
②如在G、K間加入反向電壓或較強的反向脈沖（開關和至位置2），可使GTO晶閘管關斷。?用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結果，但其關斷控制較易失敗，故仍較復雜，工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時，大功率管（GTR）迅速發展了起來，使GTO晶閘管相形見絀。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大，故在大容量變頻器中，仍居主要地位。
逆變器件的介紹：上次我們向大家介紹了普通晶閘管（SCR）和門極關斷晶閘管（GTO），*重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的，它們起到什么作用！接下來我們講：大功率晶體管（GTR）-大功率晶體管，也叫雙極結型晶體管（BJT）。
1、 變頻器用的GTR一般都是（復合管）模塊，其內部有三個極分別是集電極C、發射極E和基極B。根據變頻器的工作特點，在晶體管旁還并聯了一個反向連接的續流二極管。又根據逆變橋的特點，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
2、 工作時狀態 和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態：
⑴放大狀態 起基本工作特點是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變? Ic=βIb ?式中β------GTR的電流放大倍數。
GTR處于放大狀態時，其耗散功率Pc較大。設Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA（0.2A）?計算如下：Ic= βIb=50*0.2A=10A ? Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V ? Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ?⑵飽和狀態 Ib增大時，Ic隨之而增大的狀態要受到歐姆定律的制約。當?βIb>Uc/Rc? 時，Ic=βIb的關系便不能再維持了，這時，GTR開始進入“飽和"狀態。而當?Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定，即 Ics≈Uc/Rc ?時，GTR便處于深度飽和狀態（Ics 為飽和電流）。這時，GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。
GTR處于飽和狀態時的功耗是很小的。上例中，設Uces=2V，則? Ics=Uc/Rc=200/10A=20A ? Pc=UcesIcs=2*20W=40W
可見，與放大狀態相比，相差甚遠。
⑶截止狀態 即關斷狀態。這是基極電流Ib≤0的結果。
在截止狀態，GTR只有很微弱的漏電流流過，因此，其功耗是微不足道的。
GTR在逆變電路中是用來作為開關器件的，工作過程中，總是在飽和狀態間進行交替。所以，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR處于放大狀態，其功耗將增大達百北以上。所以，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態下小作停留的。
3.主要參數
⑴在截止狀態時
①擊穿電壓Uceo和Ucex：能使集電極C和發射極E之間擊穿的*小電壓。基極B開路是用?Uceo表示，B、E間接入反向偏壓時用Ucex 表示。在大多數情況下，這兩個數據是相等的。
②漏電流Iceo 和 Icex：截止狀態下，從C極流向E極的電流。B極開路時為 Iceo，B、E間反偏時為 Icex。
⑵在飽和狀態時
① 集電極*大電流Icm：GTR飽和導通是的*大允許電流。
② 飽和壓降Uces：當GTR飽和導通時，C、E間的電壓降。
⑶在開關過程中
① 開通時間Ton：從B極通入正向信號電流時起，到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時間。
② 關斷時間Toff：從基極電流撤消時起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的時間
開通時間和關斷時間將直接影響到SPWM調制是的載波頻率。通常，使用GTR做逆變管時的載波頻率底于2KHz。
4.變頻器用GTR的選用
⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
Uceo≥2廠2U ?在電源電壓為380V的變頻器中，應有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。
⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來選擇? Icm≥2廠2 In ? GTR是用電流信號進行驅動的，所需驅動功率較大，故基極驅動系統比較復雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率場效應晶體管（POWER MOSFET） 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點是，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅動功率很小。和GTR相比，其驅動系統比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩定性好、安全工作區大 等優點。
但是，功率場效應晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢，故在變頻器中的應用尚不能居主導地位。
2、 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物，是柵極為絕緣柵結構（MOS結構）的晶體管，它的三個極分別是集電極C、發射極E和柵極G。
工作特點是，控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I。
至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電極*大飽和電流已超過1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達到250KVA以上。
此外，其工作頻率可達20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動機的電源波形比較平滑，基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時，流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產生的熱量也是非常大的，不能忽視其發熱所產生的影響
通常，變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: ? 發熱量的近似值= 變頻器容量（KW）×55 [W]
在這里, 如果變頻器容量是以恒轉矩負載為準的 (過流能力150% * 60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時發熱量會更大一些。 電抗器安裝在變頻器側面或測上方比較好。
這時可以用估算: 變頻器容量（KW）×60 [W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產品.
注意： 如果有制動電阻的話，因為制動電阻的散熱量很大， 因此*好安裝位置*好和變頻器隔離開， 如裝在柜子上面或旁邊等。
那么, 怎樣才能降低控制柜內的發熱量呢?
當變頻器安裝在控制機柜中時，要考慮變頻器發熱值的問題。
根據機柜內產生熱量值的增加，要適當地增加機柜的尺寸。因此，要使控制機柜的尺寸盡量減小，就必須要使機柜中產生的熱量值盡可能地減少。
如果在變頻器安裝時，把變頻器的散熱器部分放到控制機柜的外面，將會使變頻器有70%的發熱量釋放到控制機柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發熱量，所以對大容量變頻器更加有效。
還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。?注意：變頻器散熱設計中都是以垂直安裝為基礎的，橫著放散熱會變差的!
冷卻風扇
一般功率稍微大一點的變頻器， 都帶有冷卻風扇。同時，也建議在控制柜上出風口安裝冷卻風扇。進風口要加濾網以防止灰塵進入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風扇都是要的，不能誰替代誰。
其他關于散熱的問題
在海拔高于1000m的地方，因為空氣密度降低，因此應加大柜子的冷卻風量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應考慮降容，1000m每-5%。但由于實際上因為設計上變頻器的負載能力和散熱能力一般比實際使用的要大， 所以也要看具體應用。 比方說在1500m的地方，但是周期性負載，如電梯，就不必要降容。
2。 開關頻率：變頻器的發熱主要來自于IGBT， IGBT的發熱有集中在開和關的瞬間。 因此開關頻率高時自然變頻器的發熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關頻率可以擴容， 就是這個道理。